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10
FN6071.1
March 15, 2005
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
528
PROCESS:
Si Gate BiCMOS
FIGURE 12. DRIVER PROPAGATION DELAY vs
TEMPERATURE
FIGURE 13. DRIVER SKEW vs TEMPERATURE
FIGURE 14. DRIVER AND RECEIVER WAVEFORMS,
LOW TO HIGH
FIGURE 15. DRIVER AND RECEIVER WAVEFORMS,
HIGH TO LOW
Typical Performance Curves VCC = 3.3V, TA = 25°C; Unless Otherwise Specified (Continued)
-40
0
50
85
TEMPERATURE (°C)
-25
25
75
PROP
AGA
T
ION
DELA
Y
(n
s)
8
9
10
11
12
13
14
15
16
tPHLY
tPHLZ
tPLHZ
tPHLY
tPLHY
RDIFF = 54
-40
0
50
85
TEMPERATURE (°C)
SKE
W
(ns)
-25
25
75
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
|tPLHY - tPHLZ|
|tPHLY - tPLHZ|
|CROSSING PT. OF Y
↑ & Z↓ -
CROSSING PT. OF Y
↓ & Z↑|
RDIFF = 54
FIGURE 2A
TIME (10ns/DIV)
RECE
IV
ER
OUTPUT
(V
)
RDIFF = 54, CL = 15pF
0
5
DRIVER
OUTPUT
(V)
0
5
DRIV
E
R
INPUT
(V)
DI
RO
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
B/Z
A/Y
TIME (10ns/DIV)
RE
CEIVER
OUTPUT
(V
)
RDIFF = 54, CL = 15pF
0
5
DR
IV
ER
OUT
P
UT
(V
)
0
5
DRIVER
INP
U
T
(V
)
DI
RO
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
A/Y
B/Z
ISL43485
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